http://www.cszcy.comzh-cnhttp://www.cszcy.com/sitemaps/index.shtmlhttp://www.cszcy.com5http://www.cszcy.com/dz/2007-10-15/16.shtml
是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。
[img]http://baike.baidu.com/pic/18/118303830472344_small.jpg[/img]
肖特基二极管原理:

肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。

   典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。

综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。

————————————————————————————————————————
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超快速恢复二极管（UFRD）。目前UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100V以上的高压SBD，一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年，SBD已取得了突破性的进展，150V和200V的高压SBD已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。

2SBD的结构、导电机理、特点及应用

2.1结构

新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为硅（Si）或砷化镓（GaAs）。由于电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，故选用N型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容，提高反向击穿电压，同时又不使串联电阻过大，通常是在N＋衬底上外延一高阻N－薄层。其结构示图如图1（a），图形符号和等效电路分别如图1（b）和图1（c）所示。在图1（c）中，CP是管壳并联电容，LS是引线电感，RS是包括半导体体电阻和引线电阻在内的串联电阻，Cj和Rj分别为结电容和结电阻（均为偏流、偏压的函数）。

大家知道，金属导体内部有大量的导电电子。当金属与半导体接触（二者距离只有原子大小的数量级）时，金属的费米能级低于半导体的费米能级。在金属内部和半导体导带相对应的分能级上，电子密度小于半导体导带的电子密度。因此，在二者接触后，电子会从半导体向金属扩散，从而使金属带上负电荷，半导体带正电荷。由于金属是理想的导体，负电荷只分布在表面为原子大小的一个薄层之内。而对于N型半导体来说，失去电子的施主杂质原子成为正离子，则分布在较大的厚度之中。电子从半导体向金属扩散运动的结果，形成空间电荷区、自建电场和势垒，并且耗尽层只在N型半导体一边（势垒区全部落在半导体一侧）。势垒区中自建电场方向由N型区指向金属，随热电子发射自建场增加，与扩散电流方向相反的漂移电流增大，最终达到动态平衡，在金属与半导体之间形成一个接触势垒，这就是肖特基势垒。

在外加电压为零时，电子的扩散电流与反向的漂移电流相等，达到动态平衡。在加正向偏压（即金属加正电压，半导体加负电压）时，自建场削弱，半导体一侧势垒降低，于是形成从金属到半导体的正向电流。当加反向偏压时，自建场增强，势垒高度增加，形成由半导体到金属的较小反向电流。因此，SBD与PN结二极管一样，是一种具有单向导电性的非线性器件。

23特点

SBD的主要优点包括两个方面：

1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。

2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。

但是，由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。

24应用

SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBDTTL集成电路早已成为TTL电路的主流，在高速计算机中被广泛采用。

除了普通PN结二极管的特性参数之外，用于检波和混频的SBD电气参数还包括中频阻抗（指SBD施加额定本振功率时对指定中频所呈现的阻抗，一般在200Ω～600Ω之间）、电压驻波比（一般≤2）和噪声系数等。

3高压SBD

长期以来，在输出12V～24V的SMPS中，次级边的高频整流器只有选用100V的SBD或200V的FRE

D。在输出24V～48V的SMPS中，只有选用200V～400V的FRED。设计者迫切需要介于100V～200V之间的150VSBD和用于48V输出SMPS用的200VSBD。近两年来，美国IR公司和APT公司以及ST公司瞄准高压SBD的巨大商机，先后开发出150V和200V的SBD。这种高压SBD比原低压SBD在结构上增加了PN结工艺，形成肖特基势垒与PN结相结合的混合结构，如图2所示。采用这种结构的SBD，击穿电压由PN结承受。通过调控N－区电阻率、外延层厚度和P＋区的扩散深度，使反偏时的击穿电压突破了100V这个长期不可逾越的障碍，达到150V和200V。在正向偏置时，高压SBD的PN结的导通门限电压为0.6V，而肖特基势垒的结电压仅约0.3V，故正向电流几乎全部由肖特基势垒供给。



为解决SBD在高温下易产生由金属－半导体的整流接触变为欧姆接触而失去导电性这一肖特基势垒的退化问题，APT公司通过退火处理，形成金属－金属硅化物－硅势垒，从而提高了肖特基势垒的高温性能与可靠性。

ST公司研制的150VSBD，是专门为在输出12V～24V的SMPS中替代200V的高频整流FRED而设计的。像额定电流为2×8A的STPS16150CT型SBD，起始电压比业界居先进水平的200V/2×8AFRED（如STRR162CT）低0.07V（典型值为0.47V），导通电阻RD（125℃）低6.5mΩ（典型值为40mΩ），导通损耗低0.18W（典型值为1.14W）。

APT公司推出的APT100S20B、APT100S20LCT和APT2×10IS20型200VSBD，正向平均电流IF（AV）=100A，正向压降VF≤0.95V，雪崩能量EAS=100mJ。EAS的表达式为

EAS=VRRM×IAS×td

在式（1）中，200VSBD的VRRM=200V，IAS为雪崩电流，并且IAS≈IF=100A，EAS=100mJ。在IAS下不会烧毁的维持时间：td=EAS/（VRRM×IAS）=1000mJ/(200V×100A)=5μs。也就是说，SBD在出现雪崩之后IAS=100A时，可保证在5μs之内不会损坏器件。EAS是检验肖特基势垒可靠性的重要参量200V/100A的SBD在48V输出的通信SMPS中可替代等额定值的FRED，使整流部分的损耗降低10％～15％。由于SBD的超快软恢复特性及其雪崩能量，提高了系统工作频率和可靠性，EMI也得到显著的改善。

业界人士认为，即使不采用新型半导体材料，通过工艺和设计创新，SBD的耐压有望突破200V，但一般不会超过600V。

4SiC高压SBD

由于Si和GaAs的势垒高度和临界电场比宽带半导体材料低，用其制作的SBD击穿电压较低，反向漏电流较大。碳化硅（SiC）材料的禁带宽度大(2.2eV～3.2eV)，临界击穿电场高（2V/cm～4×106V/cm），饱合速度快（2×107cm/s），热导率高为4.9W/（cm·K），抗化学腐蚀性强，硬度大，材料制备和制作工艺也比较成熟，是目前制作高耐压、低正向压降和高开关速度SBD的比较理想的新型材料。

1999年，美国Purdue大学在美国海军资助的MURI项目中，研制成功4.9kV的SiC功率SBD，使SBD在耐压方面取得了根本性的突破。

SBD的正向压降和反向漏电流直接影响SBD整流器的功率损耗，关系到系统效率。低正向压降要求有低的肖特基势垒高度，而较高的反向击穿电压要求有尽可能高的势垒高度，这是相矛盾的。因此，对势垒金属必须折衷考虑，故对其选择显得十分重要。对N型SiC来说，Ni和Ti是比较理想的肖特基势垒金属。由于Ni/SiC的势垒高度高于Ti/SiC，故前者有更低的反向漏电流，而后者的正向压降较小。为了获得正向压降低和反向漏电流小的SiCSBD，采用Ni接触与Ti接触相结合、高/低势垒双金属沟槽（DMT）结构的SiCSBD设计方案是可行的。采用这种结构的SiCSBD，反向特性与Ni肖特基整流器相当，在300V的反向偏压下的反向漏电流比平面型Ti肖特基整流器小75倍，而正向特性类似于NiSBD。采用带保护环的6H－SiCSBD，击穿电压达550V。

据报道，C.M.Zetterling等人采用6HSiC衬底外延10μm的N型层，再用离子注入形成一系列平行P＋条，顶层势垒金属选用Ti，这种结构与图2相类似的结势垒肖特基（JunctionBarrierSchottky，缩写为JBS）器件，正向特性与Ti肖特基势垒相同，反向漏电流处于PN结和Ti肖特基势垒之间，通态电阻密度为20mΩ·cm2，阻断电压达1.1kV，在200V反向偏压下的漏电流密度为10μA/cm2。此外，R·Rayhunathon报道了关于P型4HSiCSBD、6HSiCSBD的研制成果。这种以Ti作为金属势垒的P型4HSiCSBD和6HSiCSBD，反向击穿电压分别达600V和540V，在100V反向偏压下的漏电流密度小于0.1μA/cm2（25℃）。

SiC是制作功率半导体器件比较理想的材料，2000年5月4日，美国CREE公司和日本关西电力公司联合宣布研制成功12.3kV的SiC功率二极管，其正向压降VF在100A/cm2电流密度下为4.9V。这充分显示了SiC材料制作功率二极管的巨大威力。

在SBD方面，采用SiC材料和JBS结构的器件具有较大的发展潜力。在高压功率二极管领域，SBD肯定会占有一席之地。]]>鹏城科技seocoo2007-10-15 19:30:28http://www.cszcy.com/dz/2007-10-15/17.shtml什么是二极管
二极管的英文是diode。二极管的正.负二个端子,正端称为阳极,负端称为阴极。电流只能从阳极向阴极方向移动.一些初学者容易产生这样一种错误认识：“半导体的一‘半’是一半的‘半’；面二极管也是只有一‘半’电流流动(这是错误的)，所有二极管就是半导体 ”。其实二极管与半导体是完全不同的东西。我们只能说二极管是由半导体组成的器件。半导体无论那个方向都能流动电流。

二极管的特性与应用

几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。

二极管的工作原理

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。

二极管的类型

半导体可分为本征半导体.P型半导体.N型半导体。

本征半导体：硅和锗都是半导体，而纯硅和锗（11个9的纯度）晶体称本征半导体。硅和锗为4价元素，其晶体结构稳定。

P型半导体：P型半导体是在4价的本征半导体中混入了3价原子，譬如极小量（一千万之一）的铟合成的晶体。由于3价原子进入4价原子中，因此这晶体结构中就产生了少一电子的部分。由于少一电子，所以带正电。P型的“P”正是取“Positve（正）”一词的第一个字母。

N型半导体：若把5价的原子，譬如砷混入4价的本征半导体，将产生多余1个电子的状态结晶，显负电性。这N是从“Negative（负）”中取的第一个字母。

二极管的导电特性

二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。

1.     正向特性。

在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。

2.     反向特性。

在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。

二极管的主要参数

用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言，必须了解以下几个主要参数：

1、额定正向工作电流

是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为140左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以，二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。例如，常用的IN4001－4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。

2、最高反向工作电压

加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。

3、反向电流

反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25时反向电流若为250uA，温度升高到35，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25时反向电流仅为5uA，温度升高到75时，反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。

二极管的识别
小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极（正极）或N极（负极）,也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。]]>鹏城科技seocoo2007-10-15 19:43:55http://www.cszcy.com/dz/2007-10-15/18.shtml
   用于自动频率控制（AFC）和调谐用的小功率二极管称变容二极管。日本厂商方面也有其它许多叫法。通过施加反向电压， 使其PN结的静电容量发生变化。因此，被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。通常，虽然是采用硅的扩散型二极管，但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管，因为这些二极管对于电压而言，其静电容量的变化率特别大。结电容随反向电压VR变化，取代可变电容，用作调谐回路、振荡电路、锁相环路，常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作。

tag:变容二极管 变容二极管特性 变容二极管原理 什么是变容二极管]]>鹏城科技seocoo2007-10-15 19:49:1http://www.cszcy.com/dz/2007-10-15/19.shtmlrectifier diode
[img]http://baike.baidu.com/pic/56/1160936085472971_small.jpg[/img]

　　一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有阳极和阴极两个端子。其结构如图1所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性,其伏安特性和电路符号如图2所示。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频整流电路。

TAG:整流二极管|整流二极管的作用整流二极管参数
]]>鹏城科技seocoo2007-10-15 19:55:38http://www.cszcy.com/dz/2007-10-15/20.shtml稳压二极管 voltage stabilizing diode
[img]http://baike.baidu.com/pic/56/11609360245639860_small.jpg[/img]

　　一种用于稳定电压的单PN结二极管。它的伏安特性、电路符号如图所示。结构同整流二极管。加在稳压二极管的反向电压增加到一定数值时，将可能有大量载流子隧穿PN结的位垒，形成大的反向电流，此时电压基本不变，称为隧道击穿。当反向电压比较高时，在位垒区内将可能产生大量载流子，受强电场作用形成大的反向电流，而电压亦基本不变，为雪崩击穿。因此，反向电压临近击穿电压时，反向电流迅速增加，而反向电压几乎不变。这个近似不变的电压称为齐纳电压（隧道击穿）或雪崩电压（雪崩击穿）。

稳压二极管工作于反向击穿状态(图a)。反向电流在-IZK和-IZM之间时，二极管两端的电压基本不变，等于UZ，即为稳定电压。对硅稳压二极管而言，稳定电压在5V以下的器件靠齐纳电压工作，稳定电压在7V以上的器件靠雪崩电压工作，两者之间的器件两种形式的击穿都可能起作用。

　　电流IZK是器件起稳压作用的最小工作电流,而IZM则是最大可利用的齐纳电流或雪崩电流，其值受稳压二极管耗散功率的限制。IZ是相应于稳定电压UZ的工作电流。最大工作电流的范围从几个毫安到几十安。常用稳压二极管的稳定电压标称值约在2～200V的范围内。


TAG:稳压二极管|稳压二极管参数|稳压二极管应用 稳压二极管资料 稳压二极管工作原理
]]>鹏城科技seocoo2007-10-15 19:58:30http://www.cszcy.com/dz/2007-10-15/21.shtml[img]http://baike.baidu.com/pic/1/1149607151922315_small.jpg[/img]

------------------------------------------------------------------

1.概念:

半导体三极管也称双极型晶体管,晶体三极管,简称三极管,是一种电流控制电流的半导体器件.

作用:把微弱信号放大成辐值较大的电信号, 也用作无触点开关.

2.三极管的分类:

a.按材质分: 硅管、锗管

b.按结构分: NPN 、 PNP

c.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.

3.三极管的主要参数:

a. 特征频率fT:当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作.

b. 工作电压/电流:用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围.

c. hFE:电流放大倍数.

d. VCEO:集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压.

e. PCM:最大允许耗散功率.

f. 封装形式：指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在.

4.判断基极和三极管的类型:

先假设三极管的某极为“基极”,将黑表笔接在假设基极上,再将红表笔依次接到其余两个电极上,若两次测得的电阻都大(约几K到几十K),或者都小(几百至几K),对换表笔重复上述测量,若测得两个阻值相反(都很小或都很大),则可确定假设的基极是正确的,否则另假设一极为“基极”,重复上述测试,以确定基极.

当基极确定后,将黑表笔接基极,红表笔笔接基它两极若测得电阻值都很少,则该三极管为NPN,反之为PNP.

判断集电极C和发射极E,以NPN为例:

把黑表笔接至假充的集电极C,红表笔接到假设的发射极E,并用手捏住B和C极,读出表头所示C,E电阻值,然后将红,黑表笔反接重测.若第一次电阻比第二次小,说明原假设成立.

体三极管的结构和类型
晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，

从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。

发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。

三极管的封装形式和管脚识别

常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，

底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。

目前，国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。

晶体三极管的电流放大作用
晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。

晶体三极管的三种工作状态
截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。

放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β＝ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。

饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。

根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。

使用多用电表检测三极管

三极管基极的判别：根据三极管的结构示意图，我们知道三极管的基极是三极管中两个PN结的公共极，因此，在判别三极管的基极时，只要找出两个PN结的公共极，即为三极管的基极。具体方法是将多用电表调至电阻挡的R×1k挡，先用红表笔放在三极管的一只脚上，用黑表笔去碰三极管的另两只脚，如果两次全通，则红表笔所放的脚就是三极管的基极。如果一次没找到，则红表笔换到三极管的另一个脚，再测两次；如还没找到，则红表笔再换一下，再测两次。如果还没找到，则改用黑表笔放在三极管的一个脚上，用红表笔去测两次看是否全通，若一次没成功再换。这样最多没量12次，总可以找到基极。

三极管类型的判别： 三极管只有两种类型，即PNP型和NPN型。判别时只要知道基极是P型材料还N型材料即可。当用多用电表R×1k挡时，黑表笔代表电源正极，如果黑表笔接基极时导通，则说明三极管的基极为P型材料，三极管即为NPN型。如果红表笔接基极导通，则说明三极管基极为N型材料，三极管即为PNP型。

TAG:三极管|三极管的作用|三极管参数|三极管原理|三极管工作原理]]>鹏城科技seocoo2007-10-15 20:1:10http://www.cszcy.com/dz/2007-10-15/22.shtml1.如果输入一个高电平，而输出需要一个低电平时，首选择npn。
2.如果输入一个低电平，而输出需要一个低电平时，首选择pnp。
3.如果输入一个低电平，而输出需要一个高电平时，首选择npn。
4.如果输入一个高电平，而输出需要一个高电平时，首选择pnp。
npn基极高电压，极电极与发射极短路.低电压，极电极与发射极开路.也就是不工作。
pnp基极高电压.极电极与发射极开路，也就是不工作。如果基极加低电位，集电极与发射极短路。
即工作与不工作

TAG:开关三极管|什么是开关三极管]]>鹏城科技seocoo2007-10-15 20:47:41http://www.cszcy.com/dz/2007-10-15/23.shtml
1.集成电路(integratedcircuit,缩写:IC)

2.二,三极管.

3.特殊电子元件.

再广义些讲还涉及所有的电子元件,象电阻,电容,电路版/PCB版,等许多相关产品.

一、世界集成电路产业结构的变化及其发展历程

自1958年美国德克萨斯仪器公司(TI)发明集成电路（IC）后，随着硅平面技术的发展，二十世纪六十年代先后发明了双极型和MOS型两种重要的集成电路，它标志着由电子管和晶体管制造电子整机的时代发生了量和质的飞跃，创造了一个前所未有的具有极强渗透力和旺盛生命力的新兴产业集成电路产业。

回顾集成电路的发展历程，我们可以看到，自发明集成电路至今40多年以来，"从电路集成到系统集成"这句话是对IC产品从小规模集成电路（SSI）到今天特大规模集成电路（ULSI）发展过程的最好总结，即整个集成电路产品的发展经历了从传统的板上系统（System-on-board）到片上系统（System-on-a-chip）的过程。在这历史过程中，世界IC产业为适应技术的发展和市场的需求，其产业结构经历了三次变革。

第一次变革：以加工制造为主导的IC产业发展的初级阶段。

70年代，集成电路的主流产品是微处理器、存储器以及标准通用逻辑电路。这一时期IC制造商（IDM）在IC市场中充当主要角色，IC设计只作为附属部门而存在。这时的IC设计和半导体工艺密切相关。IC设计主要以人工为主，CAD系统仅作为数据处理和图形编程之用。IC产业仅处在以生产为导向的初级阶段。

第二次变革：Foundry公司与IC设计公司的崛起。

80年代，集成电路的主流产品为微处理器（MPU）、微控制器（MCU）及专用IC（ASIC）。这时，无生产线的IC设计公司（Fabless）与标准工艺加工线（Foundry）相结合的方式开始成为集成电路产业发展的新模式。

随着微处理器和PC机的广泛应用和普及（特别是在通信、工业控制、消费电子等领域），IC产业已开始进入以客户为导向的阶段。一方面标准化功能的IC已难以满足整机客户对系统成本、可靠性等要求，同时整机客户则要求不断增加IC的集成度，提高保密性，减小芯片面积使系统的体积缩小，降低成本，提高产品的性能价格比，从而增强产品的竞争力，得到更多的市场份额和更丰厚的利润；另一方面，由于IC微细加工技术的进步，软件的硬件化已成为可能，为了改善系统的速度和简化程序，故各种硬件结构的ASIC如门阵列、可编程逻辑器件（包括FPGA）、标准单元、全定制电路等应运而生，其比例在整个IC销售额中1982年已占12％；其三是随着EDA工具（电子设计自动化工具）的发展，PCB设计方法引入IC设计之中，如库的概念、工艺模拟参数及其仿真概念等，设计开始进入抽象化阶段，使设计过程可以独立于生产工艺而存在。有远见的整机厂商和创业者包括风险投资基金（VC）看到ASIC的市场和发展前景，纷纷开始成立专业设计公司和IC设计部门，一种无生产线的集成电路设计公司（Fabless）或设计部门纷纷建立起来并得到迅速的发展。同时也带动了标准工艺加工线（Foundry）的崛起。全球第一个Foundry工厂是1987年成立的台湾积体电路公司，它的创始人张忠谋也被誉为"晶芯片加工之父"。

第三次变革："四业分离"的IC产业

90年代，随着INTERNET的兴起，IC产业跨入以竞争为导向的高级阶段，国际竞争由原来的资源竞争、价格竞争转向人才知识竞争、密集资本竞争。以DRAM为中心来扩大设备投资的竞争方式已成为过去。如1990年，美国以Intel为代表，为抗争日本跃居世界半导体榜首之威胁，主动放弃DRAM市场，大搞CPU，对半导体工业作了重大结构调整，又重新夺回了世界半导体霸主地位。这使人们认识到，越来越庞大的集成电路产业体系并不有利于整个IC产业发展，"分"才能精，"整合"才成优势。于是，IC产业结构向高度专业化转化成为一种趋势，开始形成了设计业、制造业、封装业、测试业独立成行的局面（如下图所示），近年来，全球IC产业的发展越来越显示出这种结构的优势。如台湾IC业正是由于以中小企业为主，比较好地形成了高度分工的产业结构，故自1996年，受亚洲经济危机的波及，全球半导体产业出现生产过剩、效益下滑，而IC设计业却获得持续的增长。

特别是96、97、98年持续三年的DRAM的跌价、MPU的下滑，世界半导体工业的增长速度已远达不到从前17％的增长值，若再依靠高投入提升技术，追求大尺寸硅片、追求微细加工，从大生产中来降低成本，推动其增长，将难以为继。而IC设计企业更接近市场和了解市场，通过创新开发出高附加值的产品，直接推动着电子系统的更新换代；同时，在创新中获取利润，在快速、协调发展的基础上积累资本，带动半导体设备的更新和新的投入；IC设计业作为集成电路产业的"龙头"，为整个集成电路产业的增长注入了新的动力和活力。

二、IC的分类

IC按功能可分为：数字IC、模拟IC、微波IC及其他IC，其中，数字IC是近年来应用最广、发展最快的IC品种。数字IC就是传递、加工、处理数字信号的IC，可分为通用数字IC和专用数字IC。

通用IC：是指那些用户多、使用领域广泛、标准型的电路，如存储器（DRAM）、微处理器（MPU）及微控制器（MCU）等，反映了数字IC的现状和水平。

专用IC（ASIC）：是指为特定的用户、某种专门或特别的用途而设计的电路。

目前，集成电路产品有以下几种设计、生产、销售模式。

1．IC制造商（IDM）自行设计，由自己的生产线加工、封装，测试后的成品芯片自行销售。

2．IC设计公司（Fabless）与标准工艺加工线（Foundry）相结合的方式。设计公司将所设计芯片最终的物理版图交给Foundry加工制造，同样，封装测试也委托专业厂家完成，最后的成品芯片作为IC设计公司的产品而自行销售。打个比方，Fabless相当于作者和出版商，而Foundry相当于印刷厂，起到产业"龙头"作用的应该是前者。

TAG:IC 什么是ic ic资料 ic是什么意思]]>鹏城科技seocoo2007-10-15 20:56:17http://www.cszcy.com/dz/2007-10-15/24.shtml　　可控硅具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
　　一、可控硅的种类
　　可控硅有多种分类方法。
　　（一）按关断、导通及控制方式分类：可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅（GTO）、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。
　　（二）按引脚和极性分类：可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。
　　（三）按封装形式分类：可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中，金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。
　　（四）按电流容量分类：可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三种。通常，大功率可控硅多采用金属壳封装，而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。
　　(五）按关断速度分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（快速）可控硅。

TAG:可控硅 可控硅原理 可控硅参数 可控硅应用]]>鹏城科技seocoo2007-10-15 21:2:24http://www.cszcy.com/dz/2007-11-12/25.shtml稳压二极管的基本特性和种类
稳压二格管是一种具有稳定电压的晶体二极管,简称稳压二极管.它的文字符号用V或VD表示.稳压管的外形与普通二极管相似.稳压二极管也是一种特殊的硅二极管,这是因为一般二极管是不允许工作在反向电压击穿区的,一经击穿就无法恢复使用.而稳压管却可以工作在反向电压击穿区,只要在电路中设置有限流措施,就能正常工作.正是根据半导体PN结反向击穿的特性,运用特殊的工艺方法,制成了稳压二极管.
   
   稳压二极管一般用硅半导体材料制成,在工艺结构上通常有合金型和扩散型两种.它实质上就是一个PN结面积较大的硅二极管,具有一般二极管的单向导电特性.当工作在反向电压击穿区时,尽管通过管子的电流在很大范围内变化,管子两端的电压仍几乎保持不变,稳压管就是利用这种特性实现稳压的.

   稳压二极管的种类很多,通常小功率的用塑料封装和玻璃封装两种;大功率的用金属封装,以保证它们在工作中有足够的散热条件.在金属外壳上喷有黑漆,并印有型号及极型标志.塑料封装的稳压管表面多为粉红色或白色,并印有黑(兰)字的型号及极型标志.玻璃封装的稳压管体积较小,只有1/8W碳膜电阻的一半左右,表面不印型号,一般以具有黑色环(或其他颜色)的一端为负极.也可以根据它的单向导电性,用万用表的电阻档直接判断出它的正,负极性.
   
TAG:稳压二极管|稳压二极管参数|稳压二极管应用|稳压二极管资料|稳压二极管工作原理.]]>鹏城科技承裕科技2007-11-12 16:24:44http://www.cszcy.com/dz/2007-11-12/26.shtml稳压二极管参数
稳压二极管在正常使用中主要参数有稳定电压,最大稳定电流及最大耗散功率.

   1.稳定电压
    它是指稳压管工作在反向击穿区管子两端的电压值.它是稳压管稳定电压的某一个确定值.不同型号的稳压管稳定电压不同.
   在制造中,由于半导体材料的离散性,同一型号的稳压管,稳定的电压也可能都在某一固定值上,或者在一定的数值范围内.比如2SCW15的稳定电压是7~8.8V.也就是说,稳压管2CW15的稳定电压,可能是7V,可能是8V,也可能是8.8V等等.
   
   2.最大稳定电流
    它是指稳压管正常工作时,允许通过稳压管的最大电流.但是稳压管的实际工作电流要小于这个数值.否则会国为长时间工作电流过大而损坏稳压管.

   3.最大耗散功率     它是指反向电流通过稳压管时,稳压管所能消耗的最大功率.也等于稳定电压和最大稳定电流的乘积.在实际使用中,超过这个功率极容易损坏稳压管.

TAG:稳压二极管|稳压二极管参数|稳压二极管应用|稳压二极管资料|稳压二极管工作原理]]>鹏城科技承裕科技2007-11-12 17:5:51http://www.cszcy.com/dz/2007-11-17/27.shtml什么叫封装?  
  封装，就是指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接.封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接，从而实现内部芯片与外部电路的连接。因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造，因此它是至关重要的。 衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比值越接近1越好。
封装时主要考虑的因素：
1、 芯片面积与封装面积之比为提高封装效率，尽量接近1：1；  
2、 引脚要尽量短以减少延迟，引脚间的距离尽量远，以保证互不干扰，提高性能； 
3、 基于散热的要求，封装越薄越好。 
封装主要分为DIP双列直插和SMD贴片封装两种。
从结构方面，封装经历了最早期的晶体管TO（如TO-89、TO92）封装发展到了双列直插封装，随后由PHILIP公司开发出了SOP小外型封装，以后逐渐派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路）等。
从材料介质方面，包括金属、陶瓷、塑料、塑料，目前很多高强度工作条件需求的电路如军工和宇航级别仍有大量的金属封装。 
封装大致经过了如下发展进程： 
结构方面：TO－>DIP－>PLCC－>QFP－>BGA －>CSP； 
材料方面：金属、陶瓷－>陶瓷、塑料－>塑料； 
引脚形状：长引线直插－>短引线或无引线贴装－>球状凸点； 
装配方式：通孔插装－>表面组装－>直接安装
二,具体的封装形式
   1、 SOP/SOIC封装 SOP是英文Small Outline Package 的缩写，即小外形封装。SOP封装技术由1968～1969年菲利浦公司开发成功，以后逐渐派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路）等。 
2、 DIP封装 DIP是英文 Double In-line Package的缩写，即双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。 < 1 > 
3、 PLCC封装 PLCC是英文Plastic Leaded Chip Carrier 的缩写，即塑封J引线芯片封装。PLCC封装方式，外形呈正方形，32脚封装，四周都有管脚，外形尺寸比DIP封装小得多。PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线，具有外形尺寸小、可靠性高的优点。 
4、 TQFP封装 TQFP是英文thin quad flat package的缩写，即薄塑封四角扁平封装。四边扁平封装（TQFP）工艺能有效利用空间，从而降低对印刷电路板空间大小的要求。由于缩小了高度和体积，这种封装工艺非常适合对空间要求较高的应用，如 PCMCIA 卡和网络器件。几乎所有ALTERA的CPLD/FPGA都有 TQFP 封装。 
5、 PQFP封装 PQFP是英文Plastic Quad Flat Package的缩写，即塑封四角扁平封装。PQFP封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式，其引脚数一般都在100以上。 
6、 TSOP封装 TSOP是英文Thin Small Outline Package的缩写，即薄型小尺寸封装。TSOP内存封装技术的一个典型特征就是在封装芯片的周围做出引脚， TSOP适合用SMT技术（表面安装技术）在PCB（印制电路板）上安装布线。TSOP封装外形尺寸时，寄生参数(电流大幅度变化时，引起输出电压扰动) 减小，适合高频应用，操作比较方便，可靠性也比较高。
7、 BGA封装 BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写，即球栅阵列封装。20世纪90年代随着技术的进步，芯片集成度不断提高，I/O引脚数急剧增加，功耗也随之增大，对集成电路封装的要求也更加严格。为了满足发展的需要，BGA封装开始被应用于生产。 采用BGA技术封装的内存，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，BGA与TSOP相比，具有更小的体积，更好的散热性能和电性能。BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升，采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下，体积只有TSOP封装的三分之一；另外，与传统TSOP封装方式相比，BGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。 BGA封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA技术的优点是I/O引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率；虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能；厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。 说到BGA封装就不能不提Kingmax公司的专利TinyBGA技术，TinyBGA英文全称为Tiny Ball Grid Array（小型球栅阵列封装），属于是BGA封装技术的一个分支。是Kingmax公司于1998年8月开发成功的，其芯片面积与封装面积之比不小于1:1.14，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高2～3倍，与TSOP封装产品相比，其具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。 采用TinyBGA封装技术的内存产品在相同容量情况下体积只有TSOP封装的1/3。TSOP封装内存的引脚是由芯片四周引出的，而TinyBGA则是由芯片中心方向引 < 2 > 出。这种方式有效地缩短了信号的传导距离，信号传输线的长度仅是传统的TSOP技术的1/4，因此信号的衰减也随之减少。这样不仅大幅提升了芯片的抗干扰、抗噪性能，而且提高了电性能。采用TinyBGA封装芯片可抗高达300MHz的外频，而采用传统TSOP封装技术最高只可抗150MHz的外频。 TinyBGA封装的内存其厚度也更薄（封装高度小于0.8mm），从金属基板到散热体的有效散热路径仅有0.36mm。因此，TinyBGA内存拥有更高的热传导效率，非常适用于长时间运行的系统，稳定性极佳.
三、 国际部分品牌产品的封装命名规则资料1、 MAXIM 更多资料请参考 www.maxim-ic.com MAXIM前缀是“MAX”。DALLAS则是以“DS”开头。 MAX×××或MAX×××× 说明： 
1、后缀CSA、CWA 其中C表示普通级，S表示表贴，W表示宽体表贴。 
2、后缀CWI表示宽体表贴，EEWI宽体工业级表贴，后缀MJA或883为军级。 
3、CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA后缀均为普通双列直插。 
举例MAX202CPE、CPE普通ECPE普通带抗静电保护 MAX202EEPE 工业级抗静电保护（-45℃-85℃）,说明E指抗静电保护MAXIM数字排列分类 1字头 模拟器 2字头 滤波器 3字头 多路开关 4字头 放大器 5字头 数模转换器 6字头 电压基准 7字头 电压转换 8字头 复位器 9字头 比较器 


TGA:什么叫封装/ 具体的封装形式/封装命名规则资料/封装发展的过程]]>鹏城科技承裕科技2007-11-17 1:26:27http://www.cszcy.com/dz/2010-4-2/33.shtml　　LED驱动电源是把电源供应转换为特定的电压电流以驱动LED发光的电压转换器，通常情况下：LED驱动电源的输入包括高压工频交流（即市电）、低压直流、高压直流、低压高频交流（如电子变压器的输出）等。而LED驱动电源的输出则大多数为可随LED正向压降值变化而改变电压的恒定电流源。

特点：
　　根据电网的用电规则和LED驱动电源的特性要求，在选择和设计LED驱动电源时要考虑到以下几点：
　　1．高可靠性 特别像LED路灯的驱动电源，装在高空，维修不方便，维修的花费也大。
　　2．高效率 LED是节能产品，驱动电源的效率要高。对于电源安装在灯具内的结构，尤为重要。因为LED的发光效率随着LED温度的升高而下降，所以LED的散热非常重要。电源的效率高，它的耗损功率小，在灯具内发热量就小，也就降低了灯具的温升。对延缓LED的光衰有利。
　　3．高功率因素 功率因素是电网对负载的要求。一般70瓦以下的用电器，没有强制性指标。虽然功率不大的单个用电器功率因素低一点对电网的影响不大，但晚上大家点灯，同类负载太集中，会对电网产生较严重的污染。对于30瓦~40瓦的LED驱动电源，据说不久的将来，也许会对功率因素方面有一定的指标要求。
　　4．驱动方式 现在通行的有两种：其一是一个恒压源供多个恒流源，每个恒流源单独给每路LED供电。这种方式，组合灵活，一路LED故障，不影响其他LED的工作，但成本会略高一点。另一种是直接恒流供电，LED串联或并联运行。它的优点是成本低一点，但灵活性差，还要解决某个LED故障，不影响其他LED运行的问题。这两种形式，在一段时间内并存。多路恒流输出供电方式，在成本和性能方面会较好。也许是以后的主流方向。
　　5．浪涌保护 LED抗浪涌的能力是比较差的，特别是抗反向电压能力。加强这方面的保护也很重要。有些LED灯装在户外，如LED路灯。由于电网负载的启甩和雷击的感应，从电网系统会侵入各种浪涌，有些浪涌会导致LED的损坏。因此LED驱动电源要有抑制浪涌的侵入，保护LED不被损坏的能力。
　　6．保护功能 电源除了常规的保护功能外，最好在恒流输出中增加LED温度负反馈，防止LED温度过高。
　　7．防护方面 灯具外安装型，电源结构要防水、防潮，外壳要耐晒。
　　8．驱动电源的寿命要与LED的寿命相适配。
　　9．要符合安规和电磁兼容的要求。
　　随着LED的应用日益广泛，LED驱动电源的性能将越来越适合LED的要求。]]>鹏城科技seocoo2010-4-2 0:44:25http://www.cszcy.com/dz/2010-4-17/34.shtml加快推进战略性新兴产业发展

　　新兴产业技术含量高，附加值大，成长速度快，对我市经济带动作用显著，是我市经济发展新的增长点和未来科技发展的制高点。

　　厦门市委、市政府历来重视新兴产业的培植和发展。早在2003年我市就把光电子产业、软件产业、生物与医药产业和科学仪器仪表等四项产业确定为我市新兴产业，并明确市科学技术局是主管行政单位。成立了厦门市新兴产业发展办公室，挂靠市科技局。

　　市科技局一直把促进新兴产业发展作为科技工作的重点。几年来，我们着重对我市新兴产业技术创新体系的建设，公共技术服务平台建设，新兴产业技术创新联盟的联合攻关，财政科技经费的支持与引导，以应用促发展、加大政府引导力度，支持新兴产业发展和高层次科技人才引进等六方面给予扶持。制定了光伏太阳能、LED照明、节能照明和大平板等新兴产业规划，建设了半导体照明检测认证中心等新兴产业公共服务平台，建设了集成电路孵化器，投入几亿元的科技经费，收到良好的效果，提升了我市战略性新兴产业的核心竞争力，光电产业等战略性新兴产业发展形势良好。

　　根据市委、市政府关于促进战略性新兴产业发展的战略部署，2009年下半年以来，市科技局组织力量调研，分别把光电、软件、生物与新医药、科学仪器仪表、新材料、集成电路设计、工业设计与创意、电力电器、太阳能光伏和射频识别等十大产业作为战略性新兴产业，并作为市科学技术局2010年一号文件下发，它以提升战略性新兴产业竞争力为目标，以促进战略性新兴产业的发展为重点任务，着力提高新兴产业科技创新水平和增强企业自主研发能力，为我市经济发展方式转变提供科技支撑。

　　建设好国家“十城万盏”、“金太阳”示范工程

　　为贯彻落实国家节能减排有关精神，发挥科技支撑作用，着力突破制约产业转型升级的重要关键技术，有效引导我国半导体照明应用的健康快速发展，2009年3月12日，国家科技部联合国家发改委、财政部等单位启动“十城万盏”半导体照明应用示范工程。3月20日，根据市委市政府领导指示精神，我市正式向国家科技部申请国家“十城万盏”半导体照明应用示范城市。4月28日，国家科技部批复厦门、福州、上海、天津等21个城市为国家首批“十城万盏”半导体照明应用试点城市之一。

　　为确保示范工程的质量，争创LED照明应用的精品工程，市科技局组织成立了“十城万盏”标准专家组，编制了“LED道路照明灯具技术规范”、“LED道路照明驱动电源技术规范”等9个相关技术规范，内容涵盖了LED照明灯具系统、核心光源、驱动电源装置、工程施工、抽样与验收等在内的一系列技术要求和质量监督方法。作为国内首次推出的一套较为完整、系统的LED照明技术规范性文件，它将为我市“十城万盏”示范工程提供有力保障。

　　根据2009年7月21日正式发布的《财政部、科技部、国家能源局关于实施金太阳示范工程的通知》（简称“金太阳”示范工程）的文件精神，市科技局联合财政局、发改委迅速行动起来，组织发动厦门市光伏发电的企业申报示范项目，指导企业组织申报材料。在福建省获得的14.7兆瓦“金太阳”示范工程光伏发电项目中，我市多科莫、太古飞机、三安光电三家企业共获得4.47兆瓦的国家“金太阳”示范工程光伏发电项目。这些示范工程的推进都将对加快厦门市光电产业的发展具有重大意义。

构建光电产业技术创新联盟，大胆探索运作新模式

　　为充分集合企业研发资源，协同攻关、集成创新，形成强大的自主创新合力，引导光电产业技术创新与进步，我们大力推动产业技术创新战略联盟的发展，创新性地探索联盟的运作模式。2008年，我市成立了厦门市光电产业技术创新联盟，当前，正在积极筹备建设海峡两岸光通信产业联盟等。2009年，市科技局组织市光电产业联盟策划实施了“LED路灯技术创新及示范工程”、“半导体照明LED外延、芯片和封装关键技术攻关与产业化”两个重大科技项目，LED芯片项目根据最新的测试数据显示，功率型白光LED光效的产业化水平已达到每瓦80流明，实验室水平接近每瓦100流明，两者都居于国内领先地位，很好地提升了我市LED产业的技术水平和产业化能力，为我市成为国家“十城万盏”“半导体照明应用示范城市打下了坚实的基础，同时为联盟企业纵向和横向协同攻关、集成创新闯出了一条新路，积累了经验。厦门市光电产业技术创新联盟的建立和有效运作，为促进我市光电产业发展、突破光电产业发展技术瓶颈、推动光电产业技术升级贡献了自己的力量。

　　建设光电公共服务平台，促进产业发展

　　近年来，我市把建设科技创新载体和公共服务平台作为完善科技基础设施、为企业自主创新提供研发条件和人才支撑、实现创新成果孵化、转化和产业化的重要举措。从2006年到2009年，我市每年拿出财政创新与研发经费的75%,累计投入6.7亿多元，带动企业、科研院所等社会投入超过25亿元。建设了国家级LED检测与认证中心、光电子信息材料与器件工程技术研究中心、光电子孵化器、海外科技企业孵化器、厦门产业技术研究院、台湾科技企业育成中心、集成电路设计公共服务平台等一系列扶持光电产业的平台机构。

　　努力建设市半导体产业三大平台：”厦门市半导体照明检测认证中心“,一期工程已顺利通过验收； ”台湾工研院太阳光电与LED照明计量实验室“与”厦门国家半导体发光器件（LED）应用产品质量监督检验中心“共同签署”LED照明产品测试能力验证合作意向书“,共建二期工程。厦门联发电子商城筹建的”厦门LED营销中心“,将于今年9月开始正式运营，建成后将成为海西最重要的光电营销平台。此外，台湾亿光电子拟与厦门火炬集团、福州大学工艺美术学院共同组建”厦门市现代照明应用设计与创业中心“.这些平台的建设将有力地支撑和推动厦门市光电产业的发展。

　　加强对台交流与合作，承接对台产业转移

　　2009年，厦门市产值过亿的台资（含台湾转投资）光电企业11家，实现产值310.72亿元，占全市光电总产值76.84%,实现销售收入308.85亿元，占全市光电总销售77.46%.台资光电企业已成为我市光电产业最重要的组成部分，承接台湾光电产业的格局基本已形成。我市利用对台区位优势，积极与台湾电电公会、财团法人光电科技工业协进会（PIDA）、照明输出同业公会等合作，推动两岸光电产业向常态化和纵向化发展与合作。

　　在台交会光电系列活动的光通信专题活动上，将举办”海峡两岸光通信产业联盟“筹备会议，推动海峡两岸光通信产业合作，联合全球光通信华商企业，促进交流合作，共拓全球商机。

　　在台湾新一轮产业”西进“浪潮中，厦门的前沿平台地位日益凸显。2009年5月，冠捷科技研发中心、宸鸿科技研发中心等4家台资光电项目落户厦门；同年12月，由韩国LG集团和台湾冠捷集团合资的乐捷显示在厦门成立；今年2月，宸鸿科技在厦门的三期工程正式启动，使公司在厦门的年产值有望突破100亿元。台资光电企业已成为我市光电产业最重要的组成部分。厦门目前已经成为台湾光电产业转移的重要优选地之一

]]>鹏城科技seocoo2010-4-17 17:0:56http://www.cszcy.com/dz/2010-4-17/35.shtml
   LED路灯主要用于室外环境，要长年经受风吹雨淋、雷鸣电闪的恶劣环境；在南方，外界气温部分时间可能高达40℃~50℃，而在我国寒冷的北方，外界气温部分时间则可能低到-20℃~-30℃。因此LED路灯电源的设计和制造工艺就更加要注意质量问题。

   经过光电新闻网1年多来对全国LED路灯厂家的调研，目前在LED路灯电源领域处于领头羊位置的深圳茂硕电源,已经彻底解决了各应用厂商因电源品质不可靠而带来的困扰。2009年茂硕电源在大功率路灯电源市场已占到65%以上。各大厂商都高度赞扬茂硕电源的高可靠性,短短几年就能凭借优良的产品品质脱颖而出，赢得LED路灯电源领军者地位，好奇心驱使我们，对茂硕科技这家电源行业民族品牌企业进行了探访揭秘。

   首先，茂硕科技具有多项军工专利技术,全球领先的设计,强大的研发团队,细致的评估为茂硕电源的优秀品质奠定了坚实的基础。

   其次，针对LED特性和大功率LED路灯所特有的高可靠需求,茂硕电源在设计选用元器件方面，预留了足够的元器件设计余量，一般元器件余量为50%-60%，关键元器件余量相对更为充分。

   第三，对高品质元件的选择，如：电解电容,IC，功率半导体、磁性元件等，茂硕严格按设计要求订购世界品牌产品，产地、物料、入料、渠道层层把关。

   

   最重要的是，严格进行各项品质验证和测试程序，并积极投入。2009年初，茂硕即投资1500万元与中国著名高等学府北京大学合作建立工程技术中心，所有新开发设计产品必须经过严格的应力分析、EVT、SVT、DVT等测试和MTBF的计算与实验验证，才会允许上线试产,生产过程采用了严格的制造工艺和条形码管理等品质控制手段。

   在设计时便把电源起机温度规范在-40℃~70℃，茂硕驱动电源独有的PFC电路及内部屏蔽结构，充分解决了并保证在任何恶劣环境下，电源都能正常起机；通过半年多时间对灌胶工艺的不断研究，调配出密封性最好、散热性最佳的灌封胶配比，做到产品“滴水不进”；驱动电源防雷达到6KV以上。最终满足产品设计寿命50000H，为整个LED灯具寿命提供了有力保障。

   茂硕LED驱动电源能符合美国能源之星5.0版要求，同时，茂硕LED驱动电源已经取得UL8750相关指令认证，走在LED驱动电源行业最前端。而一般电源厂家从技术上暂时还无法达到这个水平，这正突显了茂硕LED电源在市场上的技术和品质竞争优势，使茂硕LED驱动电源业务能够实现批量化，从而实现物料的大批量采购，也能降低物料成本和产品成本。

   标准化，产业化，才能让LED产业链批量化，以最大限度地降低整个LED灯具的成本,使其在与传统灯具成本的比拼上，取得更大优势。为此，深圳LED产业联合会正在加紧制定LED相关标准以规范LED产业，使LED产业良性快速发展。
节能、减排产品必将成为未来电子产品的主流

   对于未来LED驱动电源的趋势，环保、高效，是未来电子产品发展趋势，节能、减排产品必将成为未来电子产品的主流。2009年哥本哈根会议虽然就全世界气候变暖问题因各国利益不能均衡未达成好的结果，但至少可以看到全世界各国已相当重视环境及资源保护问题。中国是一个大国，也是一个能源消耗大国，从近年国家相关政策看，节能减排已提上议程。LED产业在政府的关心和推动下，在近五年内将会有一个翻天覆地的变化。

   从路灯厂商反馈的测试数据来看，应LED灯具对LED驱动电源使用控制及二次节能要求，茂硕LED驱动电源整机系统设计效率（EFF）在90%~95%之间，相对传统的LED电源系统效率（EFF）80%左右提高了10多个百分点；PFC值则可达到0.95~1.0之间，此两个指标来源于茂硕电源独有的军工电源专利技术设计。

   而且LED驱动电源今后将向集中智能控制和数字化控制方面发展，据了解茂硕早已致力于拥有这部分功能LED驱动电源的设计开发，多项技术已向国家相关机构提出专利申请，比如电力载波无级调光LED多路驱动恒流系统及控制器，远程无级调光LED多路驱动恒流系统及恒流源，基于主动式红外线智能控制的电源和系统，基于被动式红外线智能控制的电源和系统等多项专利技术。

   茂硕电源将进一步从设计技术作为突破口，开发出更加人性化和高可靠的LED驱动电源。智能、数字化将是茂硕2010年主推产品，让LED灯具可以真正实现二次节能，且便于路灯所监控和安装，减少后期高昂的维护成本，以回报社会和尊重自然环境，为LED路灯行业发展献策献力。截止发稿日，行业内又传来茂硕电源荣获“深圳知名品牌”称号的喜讯，看来LED路灯电源的民族品牌正冉冉升起……

]]>鹏城科技seocoo2010-4-17 17:2:57http://www.cszcy.com/dz/2010-4-21/36.shtmlLM339电压比较器芯片内部装有四个独立的电压比较器，是很常见LM339引脚图的集成电路。利用lm339可以方便的组成各种电压比较器电路和振荡器电路。
LM339的特点和一些参数
1）电压失调小，一般是2mV；
　　2）共模范围非常大，为0v到电源电压减1.5v；
　　3）他对比较信号源的内阻限制很宽；
　　4）LM339 vcc电压范围宽，单电源为2-36V，双电源电压为±1V-±18V；
　　5）输出端电位可灵活方便地选用。
　　6）差动输入电压范围很大，甚至能等于vcc；
电压比较器LM339简介
LM339集成块内部装有四个独立的电压比较器，该电压比较器的特点是：1）失调电压小，典型值为2mV；2）电源电压范围宽，单电源为2-36V，双电源电压为±1V-±18V；3）对比较信号源的内阻限制较宽；4）共模范围很大，为0~（Ucc-1.5V）Vo；5）差动输入电压范围较大，大到可以等于电源电压；6）输出端电位可灵活方便地选用。
　　LM339集成块采用C-14型封装，外型及管脚排列如图。由于LM339使用灵活，应用广泛，所以世界上各大IC生产厂、公司竟相推出自己的四比较器，如IR2339、ANI339、SF339等，它们的参数基本一致，可互换使用。
　　LM339类似于增益不可调的运算放大器。每个比较器有两个输入端和一个输出端。两个输入端一个称为同相输入端，用“+”表示，另一个称为反相输入端，用“-”表示。用作比较两个电压时，任意一个输入端加一个固定电压做参考电压（也称为门限电平，它可选择LM339输入共模范围的任何一点），另一端加一个待比较的信号电压。当“+”端电压高于“-”端时，输出管截止，相当于输出端开路。当“-”端电压高于“+”端时，输出管饱和，相当于输出端接低电位。两个输入端电压差别大于10mV就能确保输出能从一种状态可靠地转换到另一种状态，因此，把LM339用在弱信号检测等场合是比较理想的。LM339的输出端相当于一只不接集电极电阻的晶体三极管，在使用时输出端到正电源一般须接一只电阻（称为上拉电阻，选3-15K）。选不同阻值的上拉电阻会影响输出端高电位的值。因为当输出晶体三极管截止时，它的集电极电压基本上取决于上拉电阻与负载的值。另外，各比较器的输出端允许连接在一起使用。
lm339pdf,lm339中文资料,lm339引脚图,lm339引脚功能,lm339应用电路图,lm339引脚,lm339是什么,lm339参数,lm339功能    LM339可构成 单限比较器、 迟滞比较器 、双限比较器（窗口比较器） 、振荡器等。
　　LM339还可以组成高压数字逻辑门电路，并可直接与TTL、CMOS电路接口。
]]>鹏城科技seocoo2010-4-21 21:27:53http://www.cszcy.com/dz/2010-4-21/37.shtml　　  LM324引脚图简介：


　　LM324系列器件为价格便宜的带有真差动输入的四运算放大器。与单电源应用场合的标准运算放大器相比，它们有一些显著优点。该四放大器可以工作在低到3.0伏或者高到32伏的电源下，静态电流为MC1741的静态电流的五分之一。共模输入范围包括负电源，因而消除了在许多应用场合中采用外部偏置元件的必要性。每一组运算放大器可用图1所示的符号来表示，它有5个引出脚，其中“+”、“-”为两个信号输入端，“V+”、“V-”为正、负电源端，“Vo”为输出端。两个信号输入端中，Vi-（-）为反相输入端，表示运放输出端Vo的信号与该输入端的位相反；Vi+（+）为同相输入端，表示运放输出端Vo的信号与该输入端的相位相同。LM324的引脚排列见图2。


　　LM324的特点：


　　1.短跑保护输出


　　2.真差动输入级


　　3.可单电源工作：3V-32V


　　4.低偏置电流：最大100nA


　　5.每封装含四个运算放大器。


　　6.具有内部补偿的功能。


　　7.共模范围扩展到负电源


　　8.行业标准的引脚排列


　　9.输入端具有静电保护功能

[size=3]lm324引脚图,lm324pdf,lm324话筒放大电路lm324 pdf,lm324中文资料,lm324放大电路,lm324资料,lm324应用电路图 ,lm324电路图 ,lm324参数,lm324作用[/size]]]>鹏城科技seocoo2010-4-21 21:48:26http://www.cszcy.com/dz/2010-4-21/38.shtml　　LM358LM358 内部包括有两个独立的、高增益、内部频率补偿的双运算放大器，适合于电源电压范围很宽的单电源使用，也适用于双电源工作模式，在推荐的工作条件下，电源电流与电源电压无关。它的使用范围包括传感放大器、直流增益模块和其他所有可用单电源供电的使用运算放大器的场合。
　　LM358 的封装形式有塑封8引线双列直插式和贴片式。
　　特性(Features):
　　· 内部频率补偿
　　· 直流电压增益高(约100dB)
　　· 单位增益频带宽(约1MHz)
　　· 电源电压范围宽：单电源(3—30V)；
　　双电源(±1.5 一±15V)
　　· 低功耗电流，适合于电池供电
　　· 低输入偏流
　　· 低输入失调电压和失调电流
　　· 共模输入电压范围宽，包括接地
　　· 差模输入电压范围宽，等于电源电压范围
　　· 输出电压摆幅大(0 至Vcc-1.5V)
lm358中文资料,lm358 pdf,lm358引脚图,lm358资料,lm358应用电路,lm358放大电路,lm358比较器,lm358引脚,lm358应用,lm358参数,lm358作用]]>鹏城科技seocoo2010-4-21 22:2:27